Wyniki: 13
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Opakowanie/obudowa Styl mocowania Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Maksymalne napięcie bramka–emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Kwalifikacje Opakowanie
ROHM Semiconductor IGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 395 W Through Hole TO-247N 397Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive 334Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive 673Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V 379Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 88 A 326 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive 432Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 88 A 326 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive 673Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 73 A 272 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 1200V 15A TRNCH 547Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 555 W Through Hole TO-247N 281Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 50A TRNCH 849Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 88 A 326 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive 244Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 56 A 223 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 40A TRNCH 66Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 15.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 73 A 272 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive 285Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 56 A 223 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Automotive Field Stop Trench IGBT 112Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube