GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
Karta charakterystyki
2 483Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C Depletion
Central Semiconductor GaN FETs 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET
Karta charakterystyki
2 500Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 3.9 mOhms - 4 V, + 6 V 2.1 V 20 nC - 40 C + 150 C 200 mW Enhancement
Central Semiconductor GaN FETs 150V, 60A, N-Channel Chip, GaN FET, CSP4X6 Package, 7"
Karta charakterystyki
2 493Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 7 mOhms - 4 V, + 6 V 13 nC - 40 C + 150 C 200 mW
Central Semiconductor GaN FETs 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
Karta charakterystyki
2 468Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 18 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 155 C 113 W Depletion
Central Semiconductor GaN FETs 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET
Karta charakterystyki
1 369Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

SMD/SMT CSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 4 V, + 6 V 2.5 V 9.2 nC - 40 C + 150 C 1.1 W
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 11A, N-Channel GaN FET
Karta charakterystyki
2 157Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Depletion
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 17A, N-Channel GaN FET
Karta charakterystyki
2 438Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Depletion