NTTFSxD1N0xHL N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi NTTFSxD1N0xHL N-Channel PowerTrench® MOSFETs employ high-performance Shielded Gate MOSFET technology for extremely low RDS(on). These onsemi single-channel MOSFETs offer low switching noises/EMI and 100% UIL-tested MSL1 robust package design. The NTTFSxD1N0xHL MOSFETs are available in a lead-free, halogen-free/BFR-free, and RoHS compliant WDFN8 package. Typical applications include DC−DC buck converters, point of load, high-efficiency load switch and low-side switching, ORing FETs, DC-DC power supplies, and MV synchronous buck converters.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
onsemi MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 103 A, 3.9 mohm 2 230Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 103 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32.7 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 40 V, 150 A, 2.1 mohm 7 022Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 43.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 84 A, 5.9 mohm 5 910Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel