650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).

Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
onsemi SiC MOSFETs EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL
Karta charakterystyki
446Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L Auto
Karta charakterystyki
450Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
Karta charakterystyki
1 983Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 170 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
Karta charakterystyki
1 970Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 170 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L Auto
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 06.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 02.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC