Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200V
Karta charakterystyki
640Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 39 mOhms - 10 V, 22 V 4.4 V 107 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
Karta charakterystyki
738Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 39 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 107 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC