Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVMFWS0D45N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS0D45N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS0D45N04XMT1G
Price: 17.16 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-MFWS0D45N04XMT1G

Nr prod.:

NVMFWS0D45N04XMT1G

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 40V T10M IN SO8FL HEFET PACKAGE

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NVMFWS0D45N04XMT1G Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMFWS0D45N04XMT1G

Na stanie magazynowym: 4 251

Stany magazynowe:: 4 251 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	17,16 zł	17,16 zł
	11,35 zł	113,50 zł
	8,86 zł	886,00 zł
	7,87 zł	3 935,00 zł
	6,75 zł	6 750,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
	6,36 zł	9 540,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFNW-5
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	469 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	450 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	115 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	180 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	5 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	278 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	17 ns
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	46 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMFWS0D45N04XMT1G Karta charakterystyki (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFWS0D45N04XM MOSFET

onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET is a single, N-channel, STD gate MOSFET in a SO8FL package. The device features 40V drain-to-source voltage, 469A continuous drain current, and is AECQ101 qualified. The onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET minimizes driver and conduction losses with low capacitance and R_DS(on). The NVMFWS0D45N04XM is available in a small footprint of 5mm x 6mm and is ideal for motor drive, battery protection, and synchronous rectification.