NXH40B120MNQ0SNG

Moduł MOSFET Full SiC NXH40B120MNQ0

Moduł MOSFET Full SIC NXH40B120MNQ0 firmy Onsemi zawiera podwójny stopień wzmacniający składający się z dwóch tranzystorów MOSFET SIC 40 mΩΩ/ 1200 V i dwóch diod SIC 40 A / 1200 V. Zintegrowane tranzystory MOSFET SiC i diody SiC zapewniają niższe straty przewodzenia i przełączania, co pozwala projektantom osiągnąć wysoką sprawność i niezawodność projektów. Moduł NXH40B120MNQ0 z tranzystorem MOSFET Full SiC zawiera dwa dodatkowe prostowniki bocznikujące 50 A / 1200 V ograniczające prąd rozruchowy oraz wbudowany termistor. Moduł MOSFET Full SiC wyróżnia się niskim ładunkiem wstecznym i szybko przełączanymi diodami SiC, konstrukcją o małej indukcyjności, lutowalnymi stykami i termistorem. Moduł NXH40B120MNQ0 MOSFET Full SiC nadaje się idealnie do stosowania w falownikach fotowoltaicznych i zasilaczach awaryjnych.