Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package. 

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Vishay Semiconductors MOSFETs SO8 P-CH 30V 15.2A 8 124Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 20.5 A 7.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 5.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 9 185Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 167 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 281Na stanie magazynowym
15 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 29 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 129 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs -20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 1 849Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 260 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel