MC33GD3100 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers

NXP Semiconductors MC33GD3100 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are single-channel gate drivers for insulated-gate bipolar transistors (IGBT) and Silicon Carbide (SiC) power devices. The NXP MC33GD3100 Gate Drivers feature advanced functional safety, control, and protection features, making it ideal for automotive and EV powertrain applications (fully AEC-Q100 grade 1 qualified). Integrated galvanic isolation and low on-resistance drive transistors provide high charging and discharging current, low dynamic saturation voltage, and rail-to-rail gate voltage control. Current and temperature sense minimizes IGBT stress during faults. Accurate and configurable under-voltage lockout (UVLO) protects while ensuring sufficient gate drive voltage headroom.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Seria Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 80Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 58Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 99 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 99 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel