1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 36
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies MOSFET Modules EASY
Karta charakterystyki
12Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
MOSFET Modules SiC Press Fit Module
Infineon Technologies Diode Modules 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module
Karta charakterystyki
21Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Diode Modules SiC Screw Mount
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Karta charakterystyki
40Oczekiwane: 24.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
72Oczekiwane: 11.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies MOSFET Modules Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Karta charakterystyki
120Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
MOSFET Modules Si
Infineon Technologies Rectifiers THYR / DIODE MODULE DK
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 40 tygodni
Min.: 2
Wielokr.: 2

Rectifier Diode Module Screw Mount Non-standard
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 39 tygodni
Min.: 12
Wielokr.: 12

Discrete Semiconductor Modules SiC
Infineon Technologies IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 44 tygodni
Min.: 12
Wielokr.: 12

IGBT Modules SiC, Si