SIZF300DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

Cykl życia:
Wycofane z eksploatacji:
Produkt został uznany przez producenta za przestarzały i zostanie wycofany z oferty.
Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
39 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
7,01 zł 7,01 zł
4,64 zł 46,40 zł
3,41 zł 341,00 zł
2,79 zł 1 395,00 zł
2,44 zł 2 440,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
2,02 zł 6 060,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR3x3-4
N-Channel
2 Channel
30 V
75 A, 141 A
4.5 mOhms, 1.84 mOhms
- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V
1 V, 1.1 V
22 nC, 62 nC
- 55 C
+ 150 C
74 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay Semiconductors
Konfiguracja: Dual
Czas zanikania: 7 ns, 12 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 60 S, 90 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 40 ns, 53 ns
Seria: SIZ
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 2 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 23 ns, 30 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 17 ns, 25 ns
Jednostka masy: 143,050 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs combine optimized combinations of MOSFETs in one compact package. The co-packaged Vishay PowerPAIR Dual-MOSFETs use less space and offer increased performance over separate discretes. By having the two MOSFETs already connected inside the PowerPAIR package, layouts are made easier and parasitic inductance from PCB traces are reduced, increasing efficiency. 

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.