Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NJVMJD45H11G

Name: onsemi NJVMJD45H11G
Brand: onsemi
SKU: 863-NJVMJD45H11G
Price: 5.03 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NJVMJD45H11G

Nr prod.:

NJVMJD45H11G

Produc.:

onsemi

Opis:

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V

Karta charakterystyki:

NJVMJD45H11G Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NJVMJD45H11G

Na stanie magazynowym: 2 212

Stany magazynowe:: 2 212 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,03 zł	5,03 zł
	4,52 zł	45,20 zł
	1,97 zł	147,75 zł

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:

NJVMJD45H11T4G-VF01

Opakowanie:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Dostępność:

Na stanie magazynowym

Cena:

5,63 zł

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaryzacja tranzystora:	PNP
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	8 A
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	80 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	5 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1 V
Pd – strata mocy:	20 W
Wzmacniacze GBP fT:	90 MHz
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Seria:	MJD45H11
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Kraj montażu:	VN
Kraj wytworzenia:	MY
Kraj pochodzenia:	MY
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	75
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	350 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NJVMJD45H11G Karta charakterystyki

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NJVMJD45H11G Bipolar Junction Transistor

onsemi NJVMJD45H11G Bipolar Junction Transistor (BJT) is a fast switching device with low collector-emitter saturation voltage. The electrical characteristics of NJVMJD45H11G transistor include 8A current, 80V voltage, and 20W power. This transistor is electrically similar to D44H/D45H series. onsemi NJVMJD45H11G is available in a straight lead version in plastic sleeves along with complementary pairs to simplify designs. This transistor is used for general-purpose power and switching devices. The applications include switching regulators, converters, and power amplifiers.