Tranzystory JFET IFN160 50V z kanałem typu N i niską pojemnością wejściową

Tranzystory JFET IFN160 50V z kanałem typu N marki InterFET  charakteryzują się niskim poziomem wycieku bramki, niskim napięciem odcięcia i niską pojemnością wejściową (Ciss). Te tranzystory JFET cechują się wysoką odpornością na promieniowanie, możliwością przeprowadzania niestandardowych testów i możliwością segregowania. Tranzystory JFET IFN160 są dostępne w obudowach SMT i bare die. Te tranzystory JFET obejmują skrajne przypadki modelowania SPICE (SPICE jest de facto standardem symulacji wydajności obwodów). Tranzystory JFET IFN160 są przeznaczone do wrażliwych na koszty projektów niskoszumowych i nadają się idealnie do mikrofonów audio i przedwzmacniaczy. Te tranzystory JFET są zgodne z dyrektywą RoHS, REACH i CMR. Typowe zastosowania obejmują miksery sygnałowe, przełączniki o wysokiej impedancji, wzmacniacze słuchawkowe, filtry audio, napędy głośnikowe przedwzmacniacza, urządzenia ultrasonograficzne, systemy radarowe i komunikacyjne oraz wykrywanie promieniowania.