150V P-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi 150V P-Channel PowerTrench® MOSFETs deliver very low RDS(on), and the mid voltage P-channel silicon technology is optimized for low Qg which is ideal for load switching applications. This P-Channel MOSFET is produced using onsemi's advanced PowerTrench® process that has been optimized for low on-state resistance and while maintaining superior switching performance.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
onsemi MOSFETs -150V P-Channel QFET
Karta charakterystyki
12 191Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT Power-33-8 P-Channel 1 Channel 150 V 3 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 9 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement QFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
Karta charakterystyki
19 209Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SSOT-3 P-Channel 1 Channel 150 V 800 mA 1.2 Ohms - 25 V, 25 V 3.3 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel