N-kanałowe tranzystory MOSFET 30-45 V (D-S)

N-kanałowe tranzystory MOSFET 30-45 V (D-S) firmy Vishay to tranzystory mocy TrenchFET® Gen IV o bardzo niskiej wartości balansu rezystancji drenu RDS i ładunku bramki Qg (FOM). Urządzenia są dostrojone do najniższego RDS - Qoss FOM z systemem chłodzenia top-side, który zapewnia dodatkowe miejsce dla wymiany ciepła. Tranzystory MOSFET są w pełni testowane na oporność bramki Rg i przełączanie UIS.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Karta charakterystyki
30 772Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 54 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Karta charakterystyki
10 175Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 291 A 960 uOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 165 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET
Karta charakterystyki
11 425Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 228 A 1.36 mOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 167 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel