Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIJK140E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK140E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJK140E-T1-GE3
Price: 27.22 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIJK140E-T1-GE3

Nr prod.:

SIJK140E-T1-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

SIJK140E-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SIJK140E-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 2 005

Stany magazynowe:: 2 005 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 9 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	27,22 zł	27,22 zł
	19,22 zł	192,20 zł
	16,60 zł	1 660,00 zł
	15,70 zł	23 550,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK 10x12
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	795 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	470 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	312 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	536 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	45 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	45 ns
Seria:	SiJK140E
Wielkość opakowania producenta:	1500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	85 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	40 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIJK140E-T1-GE3 Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Tranzystor MOSFET 40 V SiJK140E z kanałem typu N (D-S)

Vishay / Siliconix SiJK140E N-Channel 40V (D-S) MOSFET features TrenchFET^® Gen V power technology. This MOSFET optimizes power efficiency, and the R_DS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. The SiJK140E MOSFET is 100% R_g and UIS tested. This power MOSFET enhances power dissipation and lowers thermal resistance (R_thJC). Typical applications include synchronous rectification, automation, OR-ing and hot-swap switches, power supplies, motor drive control, and battery management.

Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs in PowerPAK^® 10 x 12 packaging feature power technology. These power MOSFETs optimize power efficiency, while the R_DS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. These components are 100% Rg and UIS tested. Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs enhance power dissipation and lower thermal resistance (R_thJC). Typical applications include synchronous rectification, automation, and power supplies.