Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
Karta charakterystyki
42 299Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 290 mA 5.5 Ohms 20 V 2 V 290 pC - 55 C + 150 C 960 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
Karta charakterystyki
2 632Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 260 mOhms 20 V 4 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
Karta charakterystyki
2 505Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 250 mOhms 20 V 2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
Karta charakterystyki
8 598Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 550 mA 1.7 Ohms 20 V 2 V 870 pC - 55 C + 150 C 1.04 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs Small-Signal Power-Transistor
Karta charakterystyki
2 552Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 240 V 121 mA 14 Ohms 20 V 1.8 V 1.11 nC - 55 C + 150 C 440 mW Enhancement Reel, Cut Tape