SIHx5N80AE Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SIHx5N80AE Power MOSFETs feature a low figure-of-merit, low effective capacitance, and reduced switching and conduction losses. The Vishay / Siliconix SIHx5N80AE Power MOSFETs provide an 850V drain-source voltage and are ideal for server and telecom power supplies. Additionally, the SIHx5N80AE MOSFETs utilize an ultra-low gate charge and integrated Zener diode ESD protection.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs DPAK 800V 4.4A E SERIES
Karta charakterystyki
2 914Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 800V 3A E SERIES
Karta charakterystyki
1 814Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 100 V
Karta charakterystyki
2 899Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape