FGHL75T65MQDTx Trench IGBTs

onsemi FGHL75T65MQDTx Trench IGBTs are 4th generation mid-speed IGBTs technology-packed with fully rated current diode. The FGHL75T65MQDTx IGBTs operate at 175°C maximum junction temperature, 650V collector to emitter voltage, and 75A collector current. These IGBTs feature positive temperature co-efficient for easy parallel operation, high current capability, smooth and optimized switching, and tight parameter distribution. The FGHL75T65MQDT is built in a TO247-3L package and the FGHL75T65MQDTL4 IGBT is built in a TO247-4L package. These IGBTs are ideal for applications in solar inverters, UPS, ESS, PFC, and converters.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Karta charakterystyki
432Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDTL4 Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Karta charakterystyki
103Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDT Tube