MJK44H11T General Purpose Transistors

onsemi MJK44H11T General Purpose Transistors are designed to meet the demands of a wide range of power and switching applications. The onsemi MJK44H11T can regulate, convert, or amplify power. The device is housed in an advanced LFPAK package (5mm x 6mm) and provides excellent thermal conduction. The MJK44H11T ensures stable performance under challenging conditions. It can be used in automotive end applications, like airbag deployment, power train control units, and instrument clusters.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Maksymalny prąd DC kolektora Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie emiter–baza VEBO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Pd – strata mocy Wzmacniacze GBP fT Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
onsemi Bipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56 2 711Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 PNP Single 16 A 80 V 5 V 1 V 20 W 90 MHz - 65 C + 150 C MJK45H11T Reel, Cut Tape
onsemi NJVMJK44H11TWG
onsemi Bipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive 2 930Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

MJK44H11T Reel, Cut Tape
onsemi NJVMJK45H11TWG
onsemi Bipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) PNP Transistor, Automotive 3 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

MJK45H11T Reel, Cut Tape
onsemi Bipolar Transistors - BJT NPN BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
2 978Oczekiwane: 08.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 NPN Single 16 A 80 V 5 V 1 V 20 W 85 MHz - 65 C + 150 C MJK44H11T Reel, Cut Tape