MDmesh DK5 MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFETs are very-high voltage fast recovery diodes with a 950V to 1050V breakdown voltage. The DK5 has a very low gate charge, as low as 45nC, and a reverse recovery time (trr) of 250ns (typ.). This makes the MDmesh DK5 ideal for ZVS LLC resonant converters in high-power applications. These applications include industrial welders, plasma generators, high-frequency induction melting/heating, and X-ray machines.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l
Karta charakterystyki
600Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
Karta charakterystyki
697Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
Karta charakterystyki
460Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 44 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 175 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube