1200V PIM IGBT Modules

Infineon 1200V PIM IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology based on the latest micro-pattern trenches technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V PIM IGBT Modules.

Wyniki: 25
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Prąd upływowy bramka–emiter Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 50 A PIM IGBT module 10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 50 A PIM IGBT module 26Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T4BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 75 A PIM three phase input rectifier IGBT module 6Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 75 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules LOW POWER ECONO 3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules LOW POWER ECONO 2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 200 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 50 A PIM IGBT module 3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 75 A PIM IGBT module 5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 150 A PIM IGBT module 4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules LOW POWER ECONO 10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 25 A PIM three phase input rectifier IGBT module 5Na stanie magazynowym
15Oczekiwane: 26.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 25 A 100 nA 160 W - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 25 A PIM IGBT module 1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 100 A PIM IGBT module 2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 15 A PIM IGBT module 19Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP25R12W2T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 25 A PIM IGBT module 4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 35 A PIM IGBT module 15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12W2T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 35 A PIM IGBT module 14Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 25 A PIM IGBT module 22Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PBPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 15 A PIM IGBT module 20Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules EASY 14Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules EASY 4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 75 A PIM IGBT module
10Oczekiwane: 20.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules LOW POWER ECONO Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 15
Wielokr.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 150 A PIM IGBT module Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies IGBT Modules EASY Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP200R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 200 A PIM IGBT module Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 200 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray