Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RH7G04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBJFRATCB
Price: 7.44 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RH7G04CBJFRATCB

Nr prod.:

RH7G04CBJFRATCB

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

RH7G04CBJFRATCB Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB

Na stanie magazynowym: 3 000

Stany magazynowe:: 3 000 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7,44 zł	7,44 zł
	4,73 zł	47,30 zł
	3,28 zł	328,00 zł
	2,78 zł	1 390,00 zł
	2,43 zł	2 430,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	2,06 zł	6 180,00 zł
	2,03 zł	48 720,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	40 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	17.7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 5 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	33 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	62 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	33 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	13 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	16 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	115 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RH7G04CBJFRATCB Karta charakterystyki

Other

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

125°C I2C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive

ROHM Semiconductor 125°C I²C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive are AEC-Q100 qualified. The ROHM I²C BUS EEPROMs feature two ports of Serial Clock (SCL) and Serial Data (SDA) that all controls are available through. The EEPROMs operate from a wide limit of 1.7V to 5.5V, with a possible 1MHz operation.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RH7G04CBJFRA P-Ch Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P-Ch Power MOSFET is AEC-Q101 qualified for automotive applications, including infotainment, lighting, ADAS, and body. The device offers a -40V drain-source voltage and ±40A continuous drain current. The ROHM RH7G04CBJFRA MOSFET is available in a DFN-8 package.