Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTMTS002N10MCTXG

Name: onsemi NTMTS002N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS002N10MCTXG
Price: 27.35 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTMTS002N10MCTXG

Nr prod.:

NTMTS002N10MCTXG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX

Karta charakterystyki:

NTMTS002N10MCTXG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTMTS002N10MCTXG

Na stanie magazynowym: 2 525

Stany magazynowe:: 2 525 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 21 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	27,35 zł	27,35 zł
	18,75 zł	187,50 zł
	14,19 zł	1 419,00 zł
	13,33 zł	13 330,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	13,29 zł	39 870,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TDFNW-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	236 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	5.3 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	89 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	255 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	SIngle
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	26 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	180 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	19 ns
Seria:	NTMTS002N10MC
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	59 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	29 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTMTS002N10MCTXG Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMTS002N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NTMTS002N10MC Single N-Channel Power MOSFETs are crafted using the advanced Power Trench process featuring Shielded Gate technology. The onsemi NTMTS002N10MC MOSFETs have a compact 8mm x 8mm footprint and enable space-efficient designs. The devices' low R_DS(on) ensures minimal conduction losses, while low Q_G and capacitance reduce driver losses, ensuring superior switching performance. Encased in the Power 88 package, these MOSFETs are Pb-free and RoHS-compliant, aligning with modern environmental standards.