BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors

NXP Semiconductors BFU5x NPN Wideband Silicon RF Transistors are AEC-Q101 qualified, low noise, high breakdown RF transistors suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz. Offering exceptional performance, BFU5x RF Transistors generate 20dB of maximum gain and a noise figure of 0.7dB at 900MHz. These devices allow for better signal reception at low to medium power and enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments. When used as (low-noise) amplifiers or oscillators, BFU5x RF Transistors support high supply voltages and high breakdown voltages. This makes these devices well-suited for automotive, communication, and industrial applications. The product family is available in a wide range of industry-standard packages, including SOT323, SOT23, and SOT143.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Seria Rodzaj tranzystora Technologia Polaryzacja tranzystora Częstotliwość robocza Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min. Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie emiter–baza VEBO Ciągły prąd kolektora Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Konfiguracja Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie
NXP Semiconductors RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor 350Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

BFU520Y Bipolar Wideband Si NPN 10 GHz 60 12 V 2 V 30 mA - 40 C + 150 C Dual SMD/SMT SOT-363-6 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor 4 871Na stanie magazynowym
6 000Oczekiwane: 11.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

BFU530W Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 40 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-323-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
157 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

BFU520W Bipolar Wideband Si NPN 10 GHz 60 12 V 2 V 30 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-323-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor Czas realizacji 53 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

BFU550W Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 50 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-323-3 Reel, Cut Tape, MouseReel