2000V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 2000V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 0.6A to 3A. They are specifically designed to address high blocking voltage and high voltage packages.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie

IXYS MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV
Karta charakterystyki
246Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
Karta charakterystyki
26Na stanie magazynowym
1 350Oczekiwane: 06.07.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
Karta charakterystyki
Czas realizacji 39 tygodni

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube