SiHG47N60E E Series MOSFETs

Vishay Siliconix SiHG47N60E E Series 600V High-Voltage MOSFETs offer low figure-of-merit (FOM), low input capacitance, and reduced switching and conduction losses. These high-voltage MOSFETs also feature ultra-low gate charges and come in avalanche energy rating (UIS). The SiHG47N60E E Series facilitates compliance with Energy Star 80 Plus certification. These Vishay Siliconix SiHG47N60E high-voltage MOSFETs are available in a single configuration. Typical applications include Switch Mode Power Supplies (SMPS), Power Factor Correction (PFC) power supplies, High-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting, welding, induction heating, and motor drives.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie

Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC 2 785Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC 942Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 148 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube