Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

STH4N150-2AG

Name: STMicroelectronics STH4N150-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH4N150-2AG
Price: 20.5 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

511-STH4N150-2AG

Nr prod.:

STH4N150-2AG

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package

Dokończ swój projekt

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

STH4N150-2AG Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o STMicroelectronics STH4N150-2AG

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	STMicroelectronics
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	H2PAK-2
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.5 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	2.6 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	10 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5 V
Qg – ładunek bramki:	35.1 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	208 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	72 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6 ns
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	38 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	16 ns
Jednostka masy:	1,471 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

STH4N150-2AG Karta charakterystyki (PDF)

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Niedostępne
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

STH4N150-2AG N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STH4N150-2AG N-Channel Power MOSFET is designed to deliver high voltage and robustness for the automotive market. This MOSFET is built using PowerMESH™ technology; the device combines a very high 1500V drain-source voltage rating with low gate charge and robust avalanche capability. The STH4N150-2AG MOSFET is automotive-grade, AEC-Q101-qualified, and available in an H²PAK-2 package. This device is suitable for high voltage, automotive, auxiliary, and switching applications.

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

STMICROELECTRONICS

STL059N4S8AG Power MOSFET

A 40V N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in Smart STripFET F8 technology.

Dowiedz się więcej

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

800V, Zener-protected, 100% avalanche tested, and ideal for flyback converters and LED lighting.

Dowiedz się więcej

STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs

AEC-Q101 qualified and offers a comprehensive package solution from 30V to 150V.

Dowiedz się więcej

STP80N1K1K6 N-Channel Power MOSFET

Uses MDmesh K6 technology, leveraging 20 years of experience in super junction technology.

Dowiedz się więcej

SH63N65DM6AG Power MOSFET

Automotive-grade N-channel MDmesh DM6 half‑bridge topology power MOSFET with 650V blocking voltage.

Dowiedz się więcej

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 500

Oczekiwane: 24.08.2026
Średni czas produkcji:: 26

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	20,50 zł	20,50 zł
	13,44 zł	134,40 zł
	9,91 zł	991,00 zł
	8,78 zł	4 390,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	7,27 zł	7 270,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

STH4N150-2AG

Produc.: STMicroelectronics

Opis: MOSFETs Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package Dokończ swój projekt

Specyfikacja

Dokumenty (1)

Karta charakterystyki

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

STH4N150-2AG N-Channel Power MOSFET

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

WYRÓŻNIONE PRODUKTY STMICROELECTRONICS

Dostępność

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

STMicroelectronics

Opis:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package

Dokończ swój projekt

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

STMICROELECTRONICS