Trench 650V to 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs

IXYS Trench 650V to 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs are developed using a proprietary XPT thin-wafer technology and a state-of-the-art 4th generation (GenX4™) trench IGBT process. These insulated-gate bipolar transistors feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. The devices exhibit exceptional ruggedness during switching and under short-circuit conditions.

Wyniki: 53
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
IXYS IGBTs 650V/290A Trench IGBT GenX4 XPT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 41 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBTs 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 48 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube