Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NDSH20120C-F155

Name: onsemi NDSH20120C-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C-F155
Price: 34.53 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NDSH20120C-F155

Nr prod.:

NDSH20120C-F155

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Karta charakterystyki:

NDSH20120C-F155 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NDSH20120C-F155

Na stanie magazynowym: 593

Stany magazynowe:: 593 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	34,53 zł	34,53 zł
	23,69 zł	236,90 zł
	17,85 zł	1 785,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Diody SCHOTTKY SIC
RoHS:
REACH - SVHC:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-2
Konfiguracja:	Single
If – prąd przewodzenia diody:	26 A
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne:	1.2 kV
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.75 V
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia:	119 A
Ir – Prąd wsteczny:	2.06 uA
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	NDSH20120C-F155
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Pd – strata mocy:	214 W
Rodzaj produktu:	SiC Schottky Diodes
Wielkość opakowania producenta:	450
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Vr – napięcie wsteczne:	1.2 kV

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NDSH20120C-F155 Karta charakterystyki

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

NDSH20120C-F155 Silicon Carbide Schottky Diode

onsemi NDSH20120C-F155 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. NDSH20120C-F155 features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and ease of paralleling.