SIRA99DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIRA99DP-T1-GE3
SIRA99DP-T1-GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs PPAKSO8 P-CH 30V 47.9A

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Vishay Semiconductors SIRA99DP-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 2 824

Stany magazynowe:
2 824
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
6 000
Oczekiwane: 02.11.2026
Średni czas produkcji:
33
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
12,73 zł 12,73 zł
8,34 zł 83,40 zł
5,81 zł 581,00 zł
5,03 zł 2 515,00 zł
4,82 zł 4 820,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
4,25 zł 12 750,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
P-Channel
1 Channel
30 V
195 A
1.7 mOhms
- 20 V, 16 V
1 V
172.5 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay Semiconductors
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 57 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 114 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 183 ns
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 64 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 69 ns
Jednostka masy: 506,600 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiRA99DP 30V P-Channel MOSFET

Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V P-Channel MOSFET is a TrenchFET® Gen IV power MOSFET with low on-resistance, minimizing voltage drop and reducing conduction loss. This SiRA99DP operates in a temperature range of -55°C to +150°C and is available in a single configuration PowerPAK® SO-8 package. Vishay Semiconductors SiRA99DP 30V P-Channel MOSFET is RoHS compliant and halogen free. Typical applications include load switches, adapter and charger switches, battery protection, and motor drive control.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.