FAD7171MX

onsemi
863-FAD7171MX
FAD7171MX

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 600V, 4A, SOIC-8, High-Side Gate Drive IC

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 1 148

Stany magazynowe:
1 148 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
17 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
6,15 zł 6,15 zł
4,52 zł 45,20 zł
4,11 zł 102,75 zł
3,65 zł 365,00 zł
3,43 zł 857,50 zł
3,30 zł 1 650,00 zł
3,19 zł 3 190,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
2,96 zł 7 400,00 zł
2,93 zł 21 975,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Driver ICs - Various
High-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
1 Output
10 V
20 V
11 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
FAD7171MX
Reel
Cut Tape
Marka: onsemi
Napięcie wejściowe – maks.: 20 V
Napięcie wejściowe – min.: 10 V
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia: 95 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia: 100 ns
Czas wył. – max.: 95 ns
Prąd roboczy zasilania: 105 uA
Napięcie wyjścia: 35 mV
Pd – strata mocy: 625 mW
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 100 ns
Zakończenie pracy: No Shutdown
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: Si
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

FAD7171MX High-Side Automotive Gate Driver IC

onsemi FAD7171MX High-Side Automotive Gate Driver IC is a 600V, 4A monolithic high-side gate drive IC, which can drive high-speed MOSFETs and IGBTs that operate up to +600V. The onsemi FAD7171MX features a buffered output stage with all NMOS transistors designed for high pulse current driving capability and minimum cross-conduction. onsemi’s high-voltage process and common-mode noise cancelling techniques provide stable operation of the high-side driver under high-dv/dt noise circumstances. An advanced level-shift circuit offers high-side gate driver operation up to VS=-13V (typical) for VBS=15V. The Under Voltage Lock Out (UVLO) circuit prevents malfunction when VBS is lower than the specified threshold voltage.