NHUMB1 PNP/PNP Double Transistors

Nexperia NHUMB1 PNP/PNP Double Transistors are designed to simplify circuit design and feature high breakdown voltage, built-in resistors, reduced component count, and reduced pick/place costs. These transistors operate at -80V collector-emitter voltage (VCEO), -100mA output current (IO), and -55°C to 150°C ambient temperature range (Tamb). Typical applications include digital applications, cost-saving alternatives for the BC856 series, controlling IC inputs, and switching loads.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie kolektor-baza VCBO
Napięcie emiter–baza VEBO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Pd – strata mocy
Wzmacniacze GBP fT
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT363 80V PNP/PNP RET BJT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT363 80V PNP/PNP RET BJT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-8009-3 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel