MRF300 RF Power LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRF300 RF Power LDMOS Transistors feature unmatched input and output, allowing wide frequency range operation from 1.8MHz to 250MHz. NXP MRF300 LDMOS transistors offer two opposite pin-connection versions (A and B) to be used in a push-pull and two-up configuration for wideband performance. These transistors are housed in an industry-standard TO-247 package, offering flexibility and ease of mounting. The rugged transistors are suitable for high VSWR industrial, scientific, and medical (ISM) applications and broadcast, mobile radio, HF/VHF communications, and switch-mode power supplies.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Id – Ciągły prąd drenu
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Karta charakterystyki
370Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 240
Wielokr.: 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube