IGBT Intelligent Power Modules

ROHM Semiconductor IGBT Intelligent Power Modules (IPMs) Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBT) optimized for both high-speed and low-speed switching drives. These IPMs are comprised of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, and flywheel diodes. The modules offer a collector current ranging from 3A to 80A and voltage ranging from 600V to 1800V. The ROHM Semiconductor IGBT IPMs feature 3-phase DC/AC inverter, low side IGBT open-emitter, high side IGBT gate driver, low side IGBT gate driver, and fault signal. Typical applications include low-speed and high-speed switching drives.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 18
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
Karta charakterystyki
32Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT IPM HSDIP25 Long Pin
Karta charakterystyki
46Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Module
Karta charakterystyki
59Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 60

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
Karta charakterystyki
122Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs IGBT IPM 600V 10A HSDIP25VC
Karta charakterystyki
60Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 60

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25VC
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive
Karta charakterystyki
60Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 10A IGBT Field Stop Trench
Karta charakterystyki
918Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220NFM-3
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT I. Pwr Mod Staggered type
Karta charakterystyki
54Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25VC
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs IGBT IPM 600V 15A HSDIP25
Karta charakterystyki
28Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 60

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
Karta charakterystyki
60Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for low speed switching drive
Karta charakterystyki
11Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intl Pwr Module
Karta charakterystyki
45Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 60

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive
Karta charakterystyki
8Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intl Pwr Module
Karta charakterystyki
55Oczekiwane: 16.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs IGBT IPM 600V 10A HSDIP25VC
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60
: 60

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25VC
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs IGBT IPM 600V 15A HSDIP25VC
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60
: 60

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25VC
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs IGBT IPM 600V 15A HSDIP25VC
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60
: 60

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25VC
ROHM Semiconductor Intelligent Power Modules - IPMs 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM)
Karta charakterystyki
Czas realizacji 22 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Intelligent Power Modules - IPMs Si Through Hole HSDIP-25