PBSS4310PAS-QX

Nexperia
771-PBSS4310PAS-QX
PBSS4310PAS-QX

Produc.:

Opis:
Bipolar Transistors - BJT SOT1061 10V 3A NPN BJT

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Nexperia PBSS4310PAS-QX

Dostępność

Stany magazynowe:
0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Dostępna ilość z otwartych zamówień:
5 871
Oczekiwane: 08.02.2027
Średni czas produkcji:
8
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
2,26 zł 2,26 zł
1,40 zł 14,00 zł
1,01 zł 50,50 zł
0,886 zł 88,60 zł
0,641 zł 641,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,499 zł 1 497,00 zł
0,452 zł 2 712,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Nexperia
Kategoria produktów: Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-2020D-3
NPN
Single
3 A
10 V
10 V
8 V
55 mV
1.54 W
80 MHz
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Nexperia
Ciągły prąd kolektora: 3 A
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.: 325
Rodzaj produktu: BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Nazwy umowne nr części: 934663832115
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

PBSS4310PAS-Q NPN Low VCEsat Transistor

Nexperia PBSS4310PAS-Q NPN Low VCEsat Transistor features a very low collector-emitter saturation voltage, high collector current capability, and high efficiency due to less heat generation. The PBSS4310PAS-Q is housed in an ultra-thin SOT1061D (DFN2020D-3) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and side-wettable flanks (SWF). The leadless small SMD plastic package with solderable side pads reduces printed circuit board (PCB) area requirements.

BJT DFN-Packaged Power Bipolar Transistors

Nexperia BJT DFN-Packaged Power Bipolar Transistors offer a small form factor that uses about 75% less board space and allows more design flexibility. These bipolar transistors feature reduced parasitic inductance and capacitance with an improved, low thermal resistance, enabling higher reliability. The BJT components are ideal for applications where space is at a premium. Applications include mobile devices, wearables, automotive sensors, and camera modules.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.