Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
SemiQ MOSFET Modules 1200V 20ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 30 A 25 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 263 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET Modules 1200V 40ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit B2 6 Channel 1.2 kV 30 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 160 W GCMX Tray
SemiQ MOSFET Modules 1200V 80ohm SiC MOSFET Six-Pack Module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Press Fit B2 N-Channel 6 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 40 C + 175 C 103 W GCMX Tray