Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 16.72 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

942-IRF100B201

Nr prod.:

IRF100B201

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Karta charakterystyki:

IRF100B201 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IRF100B201

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-220-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	192 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	4.2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	170 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	441 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	StrongIRFET
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	100 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	278 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	97 ns
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	110 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	17 ns
Jednostka masy:	2 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IRF100B201 Karta charakterystyki (PDF)

Models

Saber Model - IRF100B201 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF100B201

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Malezja
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Malezja

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Infineon IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs are 100V, single N-channel MOSFETs with enhanced body diode dV/dt and dl/dt capability. These MOSFETs provide improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, fully characterized capacitance, and avalanche Safe Operating Area (SOA). The IRF100x201 MOSFETs come in TO-220 and D²-Pak packages and are RoHS compliant, lead-free, and halogen-free. Applications include brushed and BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, power supplies, and power switches.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

INFINEON

OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs

Advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching.

Dowiedz się więcej

OptiMOS™ 6 60V Power MOSFETs

Delivers superior performance to OptiMOS 5 via robust power MOSFET technology.

Dowiedz się więcej

N-Channel OptiMOS™ 7 25V Power MOSFETs

Application-optimized performance, enabling peak performance for data centers, servers, & AI.

Dowiedz się więcej

OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)].

Dowiedz się więcej

N-Channel OptiMOS™ 7 80V Power MOSFETs

80V, N-channel, normal level devices with superior thermal resistance in a PG‑TDSON‑8 package.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 3 812

Stany magazynowe:: 3 812

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 12 000

Oczekiwane: 26.11.2026

27 000

Oczekiwane: 29.07.2027
Średni czas produkcji:: 8

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1 Maksymalnie: 3000

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	16,72 zł	16,72 zł
	9,28 zł	92,80 zł
	8,18 zł	818,00 zł
	6,86 zł	3 430,00 zł
	6,34 zł	6 340,00 zł
	5,98 zł	11 960,00 zł

IRF100B201

Produc.: Infineon Technologies

Opis: MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Specyfikacja

Dokumenty (6)

Karta charakterystyki

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY INFINEON

Na stanie magazynowym: 3 812

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

INFINEON