IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies
942-IRLHS6242TRPBF
IRLHS6242TRPBF

Produc.:

Opis:
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IRLHS6242TRPBF

Na stanie magazynowym: 709

Stany magazynowe:
709
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
4 000
Oczekiwane: 19.03.2026
Średni czas produkcji:
20
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 4000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
2,44 zł 2,44 zł
1,38 zł 13,80 zł
1,03 zł 103,00 zł
0,86 zł 430,00 zł
0,778 zł 778,00 zł
0,701 zł 1 402,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 4000)
0,624 zł 2 496,00 zł
0,516 zł 4 128,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
1 Channel
20 V
22 A
11.7 mOhms
- 12 V, 12 V
1.1 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
9.6 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Infineon Technologies
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 13 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 36 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 15 ns
Seria: N-Channel
Wielkość opakowania producenta: 4000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 5.8 ns
Jednostka masy: 10,430 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Ultra Compact PQFN HEXFET® Power MOSFETs

Infineon Ultra Compact PQFN HEXFET® Power MOSFETs deliver an ultra-compact, high density and efficient solution for a wide variety of lower power applications including smartphones, tablet PCs, camcorders, digital still cameras, notebook PC, server and network communications equipment. 

Inductive Wireless Charging Solutions

Infineon Technologies Inductive Wireless Charging Solutions use electromagnetic fields to transfer power from a transmitter to a receiver application. This technology charges batteries without a physical connection, all thanks to a wireless charging power supply. The benefits of wireless charging in applications are not having to plug in a device and no plug compatibility issues. It’s also safer since there is no contact with exposed electrical connectors. Wireless charging is more reliable in harsher environments, like drilling and mining. It also allows for seamless on-the-go charging, whether in the car or in public places. Finally, it eliminates tangled charging cables while charging multiple devices in parallel.

Wireless Charging Solutions

Infineon Wireless Charging Solutions meet today's growing demand for wireless charge applications like smartphones, wearables, notebooks, and low-voltage drive devices. Infineon's highly efficient and cost-effective devices enable state-of-the-art solutions for the transmitter unit for inductive and resonant standards. Infineon devices are ready-to-use for the adapter/charger, fostering time-to-market of full wireless charging solutions. Infineon is a member of the Wireless Power Consortium and the AirFuel Alliance.

Power MOSFETs

Infineon pioneered HEXFET power MOSFET technology, developing and introducing the first hexagonal topology MOSFETs in 1979. These developments were granted a broad patent just four years later, and since that time, most MOSFET manufacturers have licensed the designs and processes to enter this marketplace. IR products exhibit the lowest MOSFET on-resistance available on the market for similar components in their class, enabling power conversion subsystem designs that exhibit unequaled efficiency. IR combines state-of-the-art silicon technology with innovative packaging technology. IR POWIRTAB™, Super-220™, and Super-247™ packages allow up to 20A more current per device in the same footprint than standard packages, increasing power density. Compatible with standard surface-mount soldering techniques, IR's FlipFET® packaging technology offers a 100% silicon-to-footprint ratio with the same performance as a conventional package three times as big, making it the ideal solution for portable devices such as phones or notebook PCs. IR's DirectFET® packaging revolutionizes thermal management in the footprint of a standard SO-8 by drawing heat away from the board through the top of the package. As a result, DirectFET MOSFETs can double the current density while cutting thermal management costs in half in high-current circuits that power next-generation microprocessors.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.