PLN Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka na większość zamówień powyżej 200 zł (PLN) Wszystkie dostępne opcje płatności
Euro Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka na większość zamówień powyżej 50 € (EUR) Wszystkie dostępne opcje płatności
USD Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka na większość zamówień powyżej $60 (USD) Wszystkie dostępne opcje płatności
Generowanie łącza nie powiodło się. Spróbuj ponownie.
AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes
ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.