MSCSM170AM23CT1AG

Microchip Technology
579-SCSM170AM23CT1AG
MSCSM170AM23CT1AG

Produc.:

Opis:
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
839,40 zł 839,40 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Microchip
Kategoria produktów: Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
MOSFET / SiC SBD
SiC
Marka: Microchip Technology
Rodzaj produktu: Discrete Semiconductor Modules
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Discrete Semiconductor Modules
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

ECCN:
EAR99

MSCSM170AM23CT1AG High Voltage Power Modules

Microchip Technology MSCSM170AM23CT1AG High Voltage Power Modules are 1700V, 124A phase leg silicon carbide (SiC) MOSFET power modules. The devices feature outstanding performance at high-frequency operation with direct mounting to a heatsink (isolated package). The modules also feature low junction-to-case thermal resistance with solderable terminals both for power and signal for easy PCB mounting.