TDS2621LP.C

Semtech
947-TDS2621LP.C
TDS2621LP.C

Produc.:

Opis:
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TDS, 1-Line 26V 24A TVS EOS SLP1616N2P

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 965

Stany magazynowe:
2 965 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
5 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
4,52 zł 4,52 zł
2,95 zł 29,50 zł
2,45 zł 245,00 zł
2,35 zł 1 175,00 zł
2,27 zł 2 270,00 zł
2,22 zł 6 660,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Semtech
Kategoria produktów: Diody ochronne ESD / diody TVS
RoHS:  
26.4 V
SMD/SMT
35 V
31 V
DFN-2
24 A
840 W
86 pF
20 kV
25 kV
- 40 C
+ 125 C
Marka: Semtech
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Nazwa handlowa: SurgeSwitch
Vf – Napięcie przewodzenia: 600 mV
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

TDS2621LP Transient Diverting Suppressors (TDS)

Semtech TDS2621LP Transient Diverting Suppressors (TDS) are designed to provide high-energy electrical overstress (EOS) protection with superior clamping and temperature characteristics when compared to standard TVS devices. The Semtech TDS2621LP devices use a surge-rated FET as the main protection element. During an EOS event, transient voltage increases beyond the rated breakdown voltage of the device. The FET then switches on and conducts a transient current to ground. The TDS clamping voltage is nearly constant across the rated peak pulse current range due to the extremely low ON Resistance [RDS(on)] of the FET. Lower clamping voltage at maximum peak pulse current makes the TDS components more suitable for protecting sensitive integrated circuits (ICs), when compared to standard TVS diodes.