DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer fast switching times and reduced noise levels in a SiC-wide bandgap material. The DIF065SIC0x0 features a low gate charge and on-state resistance. The devices operate at a 650V drain-source voltage with a junction temperature of -55°C to +175°C.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa


Diotec Semiconductor SiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C
Karta charakterystyki
450Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 20 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIF065SIC020
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 105A, 650V, 30m?, 175°C
Karta charakterystyki
450Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 105 A 30 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C Enhancement DIF065SIC030