Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

MMBT3904T RSG

Name: Taiwan Semiconductor MMBT3904T RSG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-MMBT3904TRSG
Price: 0.77 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

821-MMBT3904TRSG

Nr prod.:

MMBT3904T RSG

Produc.:

Taiwan Semiconductor

Opis:

Bipolar Transistors - BJT 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor

Karta charakterystyki:

MMBT3904T RSG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Taiwan Semiconductor MMBT3904T RSG

Na stanie magazynowym: 5 709

Stany magazynowe:: 5 709 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	0,778 zł	0,78 zł
	0,464 zł	4,64 zł
	0,292 zł	29,20 zł
	0,215 zł	107,50 zł
	0,189 zł	189,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,151 zł	453,00 zł
	0,138 zł	828,00 zł
	0,112 zł	1 008,00 zł
	0,108 zł	2 592,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-523-3
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	200 mA
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	40 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	60 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	6 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	300 mV
Pd – strata mocy:	150 mW
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Taiwan Semiconductor
Ciągły prąd kolektora:	200 mA
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	30
Wzmocnienie prądu DC hFE max.:	300
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMBT3904T NPN Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3904T NPN Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with 60V of collector-to-base voltage (V_CBO), 40V of collector-to-emitter voltage (V_CEO), and 6V of emitter-to-base voltage (V_EBO). The MMBT3904T NPN transistor features a collector current of 200mA and a power dissipation (P_D) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.