Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NXV08H300DT1

Name: onsemi NXV08H300DT1
Brand: onsemi
SKU: 863-NXV08H300DT1
Price: 293.22 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NXV08H300DT1

Nr prod.:

NXV08H300DT1

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFET Modules APM17-MDC MV7 80V AL2O3 2 PHASE

Karta charakterystyki:

NXV08H300DT1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NXV08H300DT1

Na stanie magazynowym: 30

Stany magazynowe:: 30 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	293,22 zł	293,22 zł
	234,65 zł	2 346,50 zł
	222,14 zł	22 214,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	APM-17
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Rds On – rezystancja dren–źródło:	650 uOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, + 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 125 C
Seria:	NXV08H300DT1
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Half-Bridge
Czas zanikania:	290 ns
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	475 ns
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Automotive Power MOSFET Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	608 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	235 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NXV08H300DT1 Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

NXV08H300DT1 MOSFET Module

onsemi NXV08H300DT1 MOSFET Module is a dual half bridge 80V automotive power MOSFET module with temperature sensing for 48V mild hybrid automotive applications. This 2-phase power MOSFET module is electrically isolated with Direct Bond Copper (DBC) substrate for low Rthjc. The NXV08H300DT1 module is compactly designed for low total module resistance, and the small, efficient, and reliable system design reduces vehicle fuel consumption and CO₂ emissions. The components inside the module are AEC-Q101 (MOSFET) and AEC-Q200 (passives) qualified. The NXV08H300DT1 power MOSFET module is ideally used in 48V inverter and 48V traction applications.