Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
260Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Through Hole EasyPack1B


Infineon Technologies IGBT Modules 650 V, 400 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
30Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 400 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 6
Wielokr.: 6

IGBT Transistors
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 200 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 15
Wielokr.: 15

IGBT Modules Si