1200V 3-level IGBT Modules

Infineon Technologies 1200V 3-level IGBT Modules deliver electrical performance and high reliability without limiting the design flexibility. The IGBT modules cover a range from only hundreds of watts to several megawatts. The 1200V IGBT Modules are designed for 3-level-applications.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
167Na stanie magazynowym
168Oczekiwane: 25.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si Through Hole EasyPack1B


Infineon Technologies IGBT Modules 650 V, 400 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
24Oczekiwane: 13.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 400 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 6
Wielokr.: 6

IGBT Transistors
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 200 A 3-level IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 15
Wielokr.: 15

IGBT Modules Si