RxP120BLFRA Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RxP120BLFRA Power MOSFETs are automotive-grade MOSFETs that are AEC-Q101 qualified. The devices supply 100V drain-source breakdown voltage, 62mΩ static drain-source on-state resistance, and ±12A continuous drain current. The ROHM RxP120BLFRA Power MOSFETs are ideal for automotive applications, including ADAS, infotainment, lighting, and body.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN7 N CHAN 100V
Karta charakterystyki
2 935Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT DFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 61 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs HSMT N CHAN 100V
Karta charakterystyki
3 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 62 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape