Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NXH400N100L4Q2F2SG

Name: onsemi NXH400N100L4Q2F2SG
Brand: onsemi
SKU: 863-H400N100L4Q2F2SG
Price: 699.01 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-H400N100L4Q2F2SG

Nr prod.:

NXH400N100L4Q2F2SG

Produc.:

onsemi

Opis:

Discrete Semiconductor Modules ESS 200KW PIM SOLDER PIN

Karta charakterystyki:

NXH400N100L4Q2F2SG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NXH400N100L4Q2F2SG

Na stanie magazynowym: 33

Stany magazynowe:: 33 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	699,01 zł	699,01 zł
	677,21 zł	8 126,52 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
Produkt:	IGBT-Diode Modules
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	Q2PACK
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	NXH400N100L4Q2F2
Opakowanie:	Tray
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Module
Pd – strata mocy:	980 W
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Wielkość opakowania producenta:	12
Podkategoria:	Discrete and Power Modules

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NXH400N100L4Q2F2SG Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH400N100L4Q2F2 IGBT Modules

onsemi NXH400N100L4Q2F2 IGBT Modules contain an I-type neutral point clamped three-level inverter. The onsemi NXH400N100L4Q2F2 Modules leverage integrated field stop trench IGBTs and FRDs to minimize conduction and switching losses, ensuring exceptional efficiency and reliability. The modules feature a neutral point-clamped three-level inverter design and employ an extremely efficient trench with field stop technology for optimized performance. The devices' low inductive layout and package height further enhance efficiency and reliability while integrating a thermistor for temperature monitoring.