Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

DMT2004UFDF-7

Name: Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT2004UFDF-7
Price: 3.61 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

621-DMT2004UFDF-7

Nr prod.:

DMT2004UFDF-7

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

Karta charakterystyki:

DMT2004UFDF-7 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diodes Incorporated
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-2020-6
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	24 V
Id – Ciągły prąd drenu:	14.1 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	4.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 12 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	550 mV
Qg – ładunek bramki:	53.7 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	12.5 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Diodes Incorporated
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	38.6 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	9.6 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	30.8 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	3.9 ns
Jednostka masy:	6,750 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

DMT2004UFDF-7 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

DMT2004UF N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMT2004UF MOSFET is a 24V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET designed with a 0.6mm profile and 4mm² footprint. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, the DMT2004UF MOSFET minimizes on-state resistance while maintaining excellent switching performance. The DMT2004UF MOSFET offers a 4.8-12.5mΩ on-state resistance, 0.55-1.45V gate threshold voltage, 11.2-14.1A continuous drain current, and 12.5W power dissipation. Switching performance includes a 38.6ns turn-off fall time, 9.6ns turn-on rise time, typical 30.8ns turn-off delay time, typical 3.9ns turn-on delay time, and 11.2ns recovery time. The 24V DMT2004UF N-Channel Enhancement-Mode MOSFET design makes the device ideal for high-efficiency power-management applications.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

DIODES INCORPORATED

DMTH64M2LPDW Dual N-Channel E-Mode MOSFET

Integrates two MOSFETs in a single PowerDI^® 5mm x 6mm package with excellent thermal performance.

Dowiedz się więcej

2N7002 N-Channel E-Mode Field Effect Transistors

Offers fast switching performance with low gate charge and 60V maximum drain-source voltage.

Dowiedz się więcej

DMN1057UCA3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features superior switching performance, ideal for high-efficiency power-management applications.

Dowiedz się więcej

DMT31M8LFVWQ 30V N-Ch Enhancement Mode MOSFETs

Provides low on-resistance in a thermally efficient small form factor package.

Dowiedz się więcej

DMN2992UFA 20V N-Ch Enhancement Mode MOSFET

20V N-Ch MOSFET designed to minimize the R_DS(ON), available in an X2-DFN0806-3 package.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 2 349

Stany magazynowe:: 2 349 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 44 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1 Maksymalnie: 340

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	3,61 zł	3,61 zł
	2,26 zł	22,60 zł
	1,47 zł	147,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,47 zł	4 410,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

DMT2004UFDF-7

Produc.: Diodes Incorporated

Opis: MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

Specyfikacja

Dokumenty (4)

Karta charakterystyki

PCN

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

Power MOSFETs

Gate Drivers

DMTx MOSFETs

DMT2004UF N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY DIODES INCORPORATED

Na stanie magazynowym: 2 349

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

Diodes Incorporated

Opis:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

DIODES INCORPORATED