DMN3008SFG-7

Diodes Incorporated
621-DMN3008SFG-7
DMN3008SFG-7

Produc.:

Opis:
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 3 801

Stany magazynowe:
3 801 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
3,37 zł 3,37 zł
2,28 zł 22,80 zł
1,54 zł 154,00 zł
1,25 zł 625,00 zł
1,13 zł 1 130,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
0,95 zł 1 900,00 zł
0,933 zł 3 732,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Alternatywne pakowanie

Produc. Nr części:
Opakowanie:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostępność:
Na stanie magazynowym
Cena:
3,99 zł
Min.:
1

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Diodes Incorporated
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
N-Channel
1 Channel
30 V
17.6 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
41 nC
- 55 C
+ 150 C
2.1 W
Enhancement
PowerDI
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Diodes Incorporated
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 28.4 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 14 ns
Seria: DMN3008
Wielkość opakowania producenta: 2000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 63.7 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 5.7 ns
Jednostka masy: 30 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMN3008 Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN3008 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) while maintaining superior switching performance. This device is offered in a small form factor, thermally efficient POWERDI®3333-8 case, and supports higher density end products. Diodes DMN3008 is ideal for high-efficiency power management applications such as backlighting, power management functions, and DC-DC converters.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.